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被智己汽车标注错的SiC高压平台有何优势 小米汽车:价格贵、性能高

被智己汽车标注错的SiC高压平台有何优势 小米汽车:价格贵、性能高

日期:2024-04-10 08:08:02来源:快科技浏览:

小米汽车今日晚间发布了“小米SU7答网友问(第十二集)”。

而日前,智己汽车在智己L6发布会上,误将小米SU7的前后双碳化硅电机,称作前IGBT+后SiC电机,引起网友热议。

在此,小米汽车也向网友解释了全系全域SiC碳化硅高压平台是什么意思,有什么优势?

小米汽车介绍,IGBT/SiC是指代电驱控制器中的功率模块,是由一到多组功率芯片并联组成的开关器件。

有以Si为材料的IGBT类型芯片,有以SiC为材料的MOSFET类型芯片(对,IGBT是半导体类型,SiC是指芯片材料)。

功率模块负责电机驱动时将直流电转为交流电,能量回收时将交流电转换为直流电,所以它的效率对电动车至关重要。

SiC MOSFET相比Si IGBT开关损耗小,效率更高,因为SiC的制造工艺难度高、生产周期长,得片率、良品率低,致使SiC的价格是Si的2~5倍。

全系全域SiC碳化硅高压平台,指的是小米SU7高低配不仅在驱动电机上都使用了SiC碳化硅功率模块。

车载充电机(OBC)及热管理系统的空调压缩机这两个对能效要求极高的关键部件,同样都包含了碳化硅材料,以便实现更好的能效表现,全域碳化硅是小米SU7实现极致的整车低能耗的技术手段之一。

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