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誓要提升良率!曝三星重新调整1cnm DRAM设计:确保HBM4量产
据韩国媒体报道,三星电子正在重新调整其第六代1cnm DRAM的设计,以提升良品率,确保其HBM4内存的量产。三星的1cnm DRAM自开发以来一直面临良品率问题,2024年末的试产并未达到预期效果,大规模生产准备
2025-02-12
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