据韩国媒体报道，三星电子正在重新调整其第六代1cnm DRAM的设计，以提升良品率，确保其HBM4内存的量产。三星的1cnm DRAM自开发以来一直面临良品率问题，2024年末的试产并未达到预期效果，大规模生产准备

据韩国媒体报道，三星电子正加速布局下一代DRAM技术，在第六代DRAM尚未量产之际，已着手建立第七代（1d）DRAM的测试线。报道称，三星已在平泽P2厂建置10纳米级的第七代DRAM测试线，并预计明年第一季度完全建