据韩国媒体报道，三星电子正在重新调整其第六代1cnm DRAM的设计，以提升良品率，确保其HBM4内存的量产。三星的1cnm DRAM自开发以来一直面临良品率问题，2024年末的试产并未达到预期效果，大规模生产准备

随着人工智能和高性能计算需求的不断增长，HBM4内存技术的竞争已经进入白热化阶段。三星、SK海力士和美光科技等存储巨头正在激烈争夺这一领域的领先地位。三星电子在经历了HBM市场的初步挫折后，决