SK海力士宣布，成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的DDR5 DRAM芯片。这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。与前一代产品相比，1c DDR5 DRAM的运行速度

据媒体报道，半导体行业的三大巨头SK海力士、台积电和NVIDIA即将展开深度合作，共同开发下一代高频宽内存技术（HBM）。这一合作计划预计将在9月的中国台湾国际半导体展（Semicon Taiwan）上正式宣布，届时SK

据媒体报道，今年上半年，韩国SK集团以惊人的市值增幅领跑国内大型企业集团榜单，其麾下21家上市公司市值在短短半年间飙升了65.4922万亿韩元，增幅高达36%，彰显了集团强劲的增长动力。这一辉煌成就的核

据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了

SK海力士今日宣布，已成功开发出新一代移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS 4.0”，专为端侧AI手机优化。SK海力士表示，ZUFS 4.0是业界最高性能的移动端NAND闪存解决方案，它通过区分数据特性

据媒体报道，SK海力士正在评估东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。据了解，SK海力士此次并未直接引进设备，而是选择将测试晶圆发送到东京

【捷维科技】5月6日消息，据供应链最新爆料，SK海力士计划对其LPDDR5、LPDDR4、NAND以及DDR5等存储产品进行价格上调，预计涨幅将达到15%-20%。自去年第四季度起，海力士的DRAM产品价格已呈现逐月攀升的趋势，截至目前，其累计涨

财联社4月19日讯（编辑 史正丞）一个月前刚刚宣布量产新一代HBM3E高带宽存储芯片的英伟达供应商SK海力士，现在又朝着下一代产品迈出崭新征程。当地时间周五，SK海力士与台积电发布公告，宣布两家公司就整

据媒体报道，英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存，这些内存将由三星电子独家供货。在GTC 2024上，黄仁勋曾在三星电子的12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证（JENSEN APP

据媒体报道，SK海力士计划在韩国京畿道中部的龙仁市投资兴建一座庞大的半导体生产园区，耗资至少120万亿韩元（约合907亿美元）。据悉，新的半导体生产园区包括四座独立的晶圆厂，将成为