国产19nm闪存完成首轮流片！国产NAND Flash技术还有这些成绩值得关注

半导体存储芯片行业的发展是一个不断突破极限的过程。自1980年代NAND Flash问世以来，经历过SLC、MLC、TLC也发展到了现在的QLC，到2022年其堆叠层数更是迈进了200+层，闪存技术朝着速度更快、成本更低、容量更大的方向不断前进。
如今各原厂闪存技术发展迅速：
SK海力士已成功研发238层4D NAND，计划2023年上半年投入量产；
供应链消息称长江存储新一代3D闪存也达到232层；
Kioxia/WD也公布其下一代BiCS 7的堆叠层数将达到212层；
有消息称三星最新236层V-NAND将于年内实现批量生产。
但，今天我们要说的是，国产存储在近几年的机遇和挑战下，也有了可喜可贺的突破。不管是消费级还是企业级存储装备，你又多了新的、更无后顾之忧地选择。
说点让人激动的消息——
对于国产存储，可能很多人知道长江存储、合肥长鑫、福建晋华等，实际上还有很多品牌一直在默默努力，加大研发力度，不断创新突破，为国产存储技术赶超国际水平做出自己的努力。

8月19日，东芯半导体在回答投资者提问时透露，该公司采用19nm先进工艺的NAND Flash闪存产品已完成了首轮流片，目前正在产品调试的过程中。东芯称，公司在更新工艺方面不断钻研，从38nm、24nm再到正在开发的19nm的工艺，通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。

公开资料显示，东芯半导体股份有限公司(DoSilicon)成立于2014年，是一家Fabless芯片企业。公司拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。这次19nm工艺NAND Flash闪存流片，绝对算得上国产存储的又一大好消息。

另外，8月5日刚在创业板上市的江波龙也于近日分享了技术成果：由江波龙完全自主研发的中国大陆首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash正式发布。这款芯片能够极大地帮助客户降低整机系统成本，并提升终端的产品竞争力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量产，在智能穿戴、物联网模块、安防监控、网络通讯等领域得到广泛应用。

今年上半年长江存储已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出相应产品。目前以量产水平来看，最高量产的NAND闪存层数为192层，而闪存规格来看，最高量产规格为UFS3.1，也就是说年底若长江存储能实现量产，在不出现新的竞争对手之前，我们的量产规格和层数都是最高的。这将是长江存储在半导体研发领域上的又一个里程碑。

在人工智能，云计算等日益发展迅速的新基建领域，探索新型存储芯片也成为了一种趋势。昕原半导体作为新型半导体存储技术公司，一直致力于提供革新性的存储、存内计算等多种创新芯片产品和IPs，重新定义存储、智能计算和安全，为人工智能、物联网、云计算、5G通讯等领域保驾护航。如今昕原已经建成中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线，ReRAM存储芯片的优势在于读取速度快，功耗低，应用范围广阔，这对于国产存储行业来说绝对是一个可喜可贺的消息。
另外，2022年2月22日兆易创新宣布旗下全国产化38纳米SPI NAND Flash GD5F全系列芯片已经成功通过AEC-Q100车规级认证。这款车载芯片和以往最大的不同在于它是全国产自研的，全线的芯片生产产业链上，基本上没有国外公司的存在，充分说明中国芯的发展更进了一步。
我们要给国产存储更多信心
近年来，国产存储技术各方面已经取得了突破，国产存储行业早已摆脱了“低质量”“低耐久”“售后差”等等标签，在这几年间给国内用户输送了越来越多质量过硬的产品。多款国产SSD一经发布就引起消费者强烈的反响，并且用实测成绩证明了产品实力。相信在不久的将来，我们将用上更多纯国产设计研发的更有保障的产品。