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铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图:计划2027年实现1000层堆叠
铠侠最近公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。自2014年以来,3D NAND闪存的层数经历了显著的增长,从初期的24层迅速攀升至2022年的238层,短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是
2024-06-28
最新资讯NAND芯片严重供过于求,有厂商开始减产
根据集邦咨询 TrendForce 发布的最新研报,由于某些消费电子产品的需求减弱,内存价格从 2021 年第四季度开始不断下降。此外还受到其他多方面的因素:通胀上升、俄乌战争、疫情政策等影响,旺季需求疲软等等,因此这些销售压力
2022-10-07
国产19nm闪存完成首轮流片!国产NAND Flash技术还有这些成绩值得关注
半导体存储芯片行业的发展是一个不断突破极限的过程。自1980年代NAND Flash问世以来,经历过SLC、MLC、TLC也发展到了现在的QLC,到2022年其堆叠层数更是迈进了200+层,闪存技术朝
2022-08-22