最新资讯NAND芯片严重供过于求，有厂商开始减产

根据集邦咨询 TrendForce 发布的最新研报，由于某些消费电子产品的需求减弱，内存价格从 2021 年第四季度开始不断下降。此外还受到其他多方面的因素：通胀上升、俄乌战争、疫情政策等影响，旺季需求疲软等等，因此这些销售压力从买方延伸至厂商。

针对上述情况，美光上周宣布将减产 DRAM 和 NAND Flash，成为首家正式降低产能利用率计划的主要内存厂商。铠侠也紧随美光宣布，自 10 月起将 NAND Flash 产能利用率降低 30%。

在 NAND Flash 方面，美光原本计划从 22 年 4 季度开始逐步提高 232 层产品的比例。不过随着公司减产决定的落实，预计 2023 年美光的主流制程仍以 176 层产品为主，而传统制程的晶圆开工率也会下降。

与 NAND Flash 相比，是否会出现大幅减产还有待观察。除了提到目前该领域产能利用率略有下降外，美光主要强调其对 2023 年资本支出的大幅下调，明年 DRAM 生产位元的年增长率仅为 5% 左右。

铠侠和 WDC 原计划从 22 年第 4 季度开始迁移到 162 层产品，但 WDC 在 2023 年放缓了资本支出。在资金难以获得且需求可见性不佳的情况下，162 层产品的比例将大幅下降，公司原计划 2023 年替代主流 112 层产品将无法实现。

2023 年内存市场供需情况来看，由于需求前景保守，DRAM 和 NAND Flash 各季度均出现严重供过于求，明年上半年库存压力将继续加速。